在数据中心、工业自动化及新能源领域,MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET,结合屏蔽栅技术,突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力,在高功率应用领域持续输出。
型号 | 品牌 | 描述 | 库存 | 包装 | 交货地(工作日) | 操作 |
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BSC016N04LS G-VB | VBSEMI/微碧半导体 | DFN8(5X6);N—Channel沟道,30V;160A;RDS(ON)=1.8mΩ@VGS=10V,VGS=20V;Vth=1.5~2.5V; | 50000 | 5000 | 中国内地:2-4工作日 |
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BSC016N04LSG | INFINEON/英飞凌 | 3445 | 5000 盘 | 中国内地:1-2工作日 |
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BSC016N04LSGATMA1 | INFINEON/英飞凌 | N-Ch 40V 100A TDSON-8 OptiMOS 3 | 22 | 1 | 中国内地:1-2工作日 |
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规格参数 | |
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Vgs th-栅源极阈值电 | 1.2 V |
封装 | TDSON-8 |
安装风格 | SMD/SMT |
Vds-漏源极击穿电压 | 40 V |
连续漏极电流Id | 100 A |
Pd-功率耗散 | 139 W |
通道模式 | Enhancement |
技术 | Si |
晶体管极性 | N-Channel |
商标名 | OptiMOS |
Vgs - 栅极-源极电压 | 20 V |
漏源导通电阻 | 1.3 mOhms |
最小工作温度 | - 55 C |
Qg-栅极电荷 | 150 nC |
最大工作温度 | + 150 C |
包装 | Cut Tape, Reel |
在数据中心、工业自动化及新能源领域,MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET,结合屏蔽栅技术,突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力,在高功率应用领域持续输出。
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商品名称 | 品牌 | 库存 | 价格 |
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206807-0321 | MOLEX | 4884000 | 0.463190 |
53015-0510 | MOLEX | 78105 | 1.044828 |
39-28-8060 | MOLEX | 10187 | 4.674984 |
75586-0010 | MOLEX | 8800 | 52.366650 |
73403-5072 | MOLEX | 4435 | 16.857746 |
39-28-1103 | MOLEX | 2384 | 2.772420 |
74723-0001 | MOLEX | 1277 | 61.557844 |
70246-1001 | MOLEX | 8 | 10.371200 |
39-29-1088 | MOLEX | 1 | 4.994292 |
XC7Z045-2FFG900I | XILINX | 1 | 2393.042400 |